Samsung Electronics telah mengumumkan pengeluaran besar-besaran mengenai penyelesaian ingatan 512GB tertanam Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 pertama industri.

Syarikat itu membuat pengumuman itu dalam siaran akhbar pada hari ini, mendedahkan eUFS 3.0 menyampaikan dua kali kelajuan baca eUFS 2.1 dan lebih dari satu setengah kali kelajuan tulis.

Samsung berkata penyelesaian baru adalah "empat kali lebih pantas" daripada pemacu keadaan pepejal SATA (SSD), "20 kali lebih cepat" daripada kad microSD yang tipikal, dan akan membolehkan telefon pintar premium memindahkan "filem HD Penuh ke PC dalam kira-kira tiga saat . "

Teknologi ini dijangka tiba di telefon pintar seterusnya, termasuk Samsung Galaxy Galaxy yang akan datang.

Ini adalah nombor yang sangat menarik kerana Samsung mengeluarkan satu penyelesaian eUFS 2.1 hanya sebulan yang lalu iaitu separuh secepat; kita tidak pernah melihat lompatan generasi seperti ini dalam teknologi storan dalaman Samsung selama lebih dari empat tahun. Samsung menuntut kelajuan membaca serentak beransur-ansur melebihi eUFS 2.1 hingga 2,100MB sesaat dan kelajuan menulis baru sehingga 410MB sesaat - (lihat jadual di bawah).

eUFS 3.0 akan memberikan produk mudah alih mewah kelebihan yang signifikan dalam beberapa aspek prestasi mudah alih (seperti pemindahan fail, pemasangan aplikasi, mengakses fail peranti dan banyak lagi) berbanding produk yang bersaing, tetapi bukan satu-satunya berita baik baru-baru ini untuk ingatan telefon pintar.

Kad ekspres MicroSD telah diumumkan hanya semalam untuk menyampaikan kadar pemindahan fail teoritikal sehingga 985MB sesaat. Peranti yang dipasangkan dengan salah satu daripada ini dan penyelesaian eUFS baru Samsung boleh menjadi raksasa prestasi.

Kedua-dua 512GB eUFS 3.0 dan penyelesaian 128GB eUFS 3.0 akan dilancarkan pada akhir bulan ini manakala Samsung berkata model 1TB dan 256GB dirancang untuk separuh kedua tahun ini. Marilah kita tahu apa yang anda fikirkan perkembangan dalam komen.